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石英MEMS傳感器敏感芯片濕法刻蝕設(shè)備結(jié)構(gòu)

時間:2021-06-05 點擊次數(shù):

濕法蝕刻一般分為①化學(xué)蝕刻液向片晶表面擴散②蝕刻液與片晶材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)③反應(yīng)后產(chǎn)物從片晶表面擴散至溶液中排出。一般情況下,溶液溫度越高,擴散越快,濃度越高,腐蝕性越強,腐蝕速率也就越大。HF+NH4F+H2O溶液與石英晶體反應(yīng)生成SiF62-離子,反應(yīng)過程中產(chǎn)生的氣泡也會吸附在晶體表面,從而形成微孔,阻礙HF溶液的擴散。石英MEMS傳感器敏感芯片濕式蝕刻機結(jié)構(gòu)技術(shù)、化學(xué)液溫、液流場、化學(xué)溶液濃度、氣泡去除等技術(shù)是濕式蝕刻機的關(guān)鍵制造技術(shù)。4.重要的濕法蝕刻設(shè)備制造技術(shù),濕法蝕刻設(shè)備是一種整體結(jié)構(gòu)技術(shù)。其結(jié)構(gòu)主要由清洗槽、防蝕槽、槽體、排氣孔、控制系統(tǒng)、水管系統(tǒng)等組成,主要用于清潔、封閉環(huán)境。因為HF溶液腐蝕性很強,所以設(shè)備的安全至關(guān)重要。一般情況下,框架采用鋼結(jié)構(gòu)框架封裝,外殼采用耐腐蝕、強度高的PP(聚丙烯)板焊接而成。采用耐HF腐蝕、耐高溫的PVDF材料制造,槽體選材潔凈、耐HF腐蝕,保證長期腐蝕過程槽體不變形。此外,除過載、過溫、排氣風(fēng)道風(fēng)壓檢測、管道區(qū)酸液泄漏檢測等常規(guī)安全保護措施外,氫氟酸濃度也比較高,因此在操作區(qū)域和管道區(qū)設(shè)置氫氟酸氣體濃度檢測報警裝置,以保證設(shè)備和人員的安全。


石英MEMS傳感器敏感芯片濕法刻蝕設(shè)備結(jié)構(gòu)(圖1)


濕法腐蝕設(shè)備的核心結(jié)構(gòu)單元是其整體結(jié)構(gòu)圖蝕刻槽?;瘜W(xué)液均勻擴散到晶片表面,是實現(xiàn)腐蝕形貌均勻控制的關(guān)鍵。蝕刻槽體的結(jié)構(gòu)原理主要包括槽體、密封槽蓋、旋轉(zhuǎn)晶片機構(gòu)、進(jìn)樣口、排樣口等。槽體內(nèi)采用四面360°循環(huán)溢流式結(jié)構(gòu),化學(xué)液注入采用底面對稱式腔內(nèi)均勻的小孔及均勻的孔板,溶液循環(huán)采用風(fēng)囊泵將溶液脈動降至最低,并與管路注入泵的壓力流量調(diào)節(jié)相配合,實現(xiàn)化學(xué)液從底面向上均勻流動。在底部和溢流口處采用大直徑排出管,在工藝結(jié)束后,DIW(離子水)快速完成化學(xué)腐蝕清洗,實現(xiàn)腐蝕清洗一體化結(jié)構(gòu)?;瘜W(xué)液濃度是濕法蝕刻槽體濃度控制的重要指標(biāo),化學(xué)液濃度越高,腐蝕性越強,對側(cè)腐蝕的控制越困難。石英石晶體濕浸液的溶液溫度一般為40~90℃,溶液揮發(fā)速度很快,如果不能有效地控制溶液揮發(fā)速度,溶液濃度升高很快,對工藝形象不能有效地控制。高精密度濃度控制器能夠準(zhǔn)確地檢測和控制HF離子的濃度,但是復(fù)雜且昂貴。槽蓋為拱型結(jié)構(gòu),采用冷凝密封槽蓋,槽蓋內(nèi)設(shè)有10~15℃的冷卻水,有效地冷凝了腐蝕過程中揮發(fā)出的溶液,通過冷凝蓋人字結(jié)構(gòu)有效地導(dǎo)入工藝槽。槽蓋上選用不銹鋼材料,整體噴氟防腐蝕,氟材料選擇密封圈。

冷凝密封槽蓋與工藝槽的精密液位檢測機構(gòu)及自動定時定量補水系統(tǒng),實現(xiàn)工藝濃度不升高。一般情況下,經(jīng)過一定比例的溶液(濃度)試驗,腐蝕過程中氟離子減少,濃度降低,腐蝕效率降低,腐蝕時間延長,不可控因素增多。所以,通常采用大容量的腐蝕液,即工藝槽與大容量儲液槽通過循環(huán)泵連接使用,以降低濃度下降速度。液槽輸入式加熱元,在線加熱液槽,配合晶片旋轉(zhuǎn)機構(gòu),使蝕刻槽溶液溫度均勻。4.3晶片旋轉(zhuǎn)運動控制技術(shù):晶片腐蝕時,產(chǎn)生一定量的SiF4氣體,在溶液中形成SiF4氣體,這種氣體形成微金屬,影響酸液的擴散,通過晶片的提升和旋轉(zhuǎn)運動,SiF4氣體可被有效地排除。另外,旋轉(zhuǎn)晶片能使晶片上的每一個點最大限度地出現(xiàn)在槽內(nèi)各個位置,與溶液溫度、流場、濃度等控制完美結(jié)合。所以,采用晶片旋轉(zhuǎn)+旋轉(zhuǎn)的方式,晶片旋轉(zhuǎn)機主要由晶片裝夾和驅(qū)動軸組成,典型參數(shù)如下:旋轉(zhuǎn)機構(gòu)和夾具材料:PVDF材料夾具旋轉(zhuǎn)方式:旋轉(zhuǎn)+旋轉(zhuǎn)(轉(zhuǎn)速比:1/4)速度:0~10r/r(連續(xù)調(diào)整),調(diào)整精度≤1r。

在石英MEMS傳感器敏感芯片結(jié)構(gòu)制造中,使用石英MEMS敏感芯片結(jié)構(gòu)制造的技術(shù)載體——7晶片旋轉(zhuǎn)機構(gòu)示意圖5結(jié)束語,設(shè)備整體結(jié)構(gòu)技術(shù)、槽體溶液濃度及流場控制、晶片旋轉(zhuǎn)運動控制等關(guān)鍵技術(shù)是石英晶體形狀結(jié)構(gòu)蝕刻技術(shù)實現(xiàn)的重要保證。利用這一關(guān)鍵技術(shù),濕法腐蝕設(shè)備的應(yīng)用已超過20臺,經(jīng)過近10年的實際運行,證明了該設(shè)備生產(chǎn)技術(shù)性能穩(wěn)定,安全可靠,技術(shù)適用性強,可推廣到MEMS中的單晶硅深槽腐蝕、鋁圖形蝕刻等其他濕法腐蝕技術(shù)領(lǐng)域。MEMS制造技術(shù)在無錫開設(shè)課程,主要內(nèi)容包括:(1)MEMS制造關(guān)鍵設(shè)備和材料(2)硅基MEMS制造技術(shù)(3)非硅基MEMS制造技術(shù)(4)硅基MEMS設(shè)備制造技術(shù):熱電堆紅外傳感器(額溫槍/耳溫槍核心設(shè)備)(5)非硅基MEMS設(shè)備制造技術(shù):微流控制、仿生微納結(jié)構(gòu)、微針、電極和人工視網(wǎng)膜等(6)MEMS制造新技術(shù):納米壓印(7)硅通孔封裝技術(shù)(TSV)、玻璃通孔填充技術(shù)(TGV)和填充技術(shù)。

深圳市力準(zhǔn)傳感技術(shù)有限公司是專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)高品質(zhì)、高精度力值測量傳感器的廠家。主要產(chǎn)品有微型壓式傳感器、拉壓式柱式傳感器、螺桿拉壓式傳感器、S型拉壓力傳感器、軸銷傳感器、稱重測力傳感器、多維力傳感器、扭矩傳感器、位移傳感器、壓力變送器、液壓傳感器、變送器/放大器、控制儀表、以及手持儀等力控產(chǎn)品達(dá)千余種,并已獲得多項國家知識產(chǎn)權(quán),產(chǎn)品技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新、新品研發(fā)能力強。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于多種新型和智能化高端領(lǐng)域,包括工業(yè)自動化生產(chǎn)線、3C、新能源、機器人、機械制造、醫(yī)療、紡織、汽車、冶金以及交通等領(lǐng)域。

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